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目錄：
1、礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)在此應(yīng)用中
2、my礦用電纜隨著按照摩爾定律縮小半導(dǎo)體器件的特征尺寸和芯片集成度的不斷提高
3、my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)然而
4、my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高密度下的性能優(yōu)化
5、my礦用電纜近年來
6、電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)病例數(shù)量從2010年的40例增加到2012年的110例
　　2004年,北京大學(xué)首次提出中國(guó)自主研發(fā)的SOIFinFET(publicCNA)專利申請(qǐng)。
　　

礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)在此應(yīng)用中

　　本應(yīng)用采用氮化硅沉積保護(hù)翅片區(qū)域,然后氧化形成翅片區(qū)域的準(zhǔn)soi結(jié)構(gòu),礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)工藝簡(jiǎn)單。IBM是SOIFinFET技術(shù)的倡導(dǎo)者,與AMD建立了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作關(guān)系,礦用電纜在該領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。綜上所述,中國(guó)的SOIFinFET技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平仍有較大差距,但近年來中國(guó)對(duì)該領(lǐng)域的研究與開發(fā)越來越重視,投資逐年增加,并正在逐步趕上。國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的SOIFinFET專利申請(qǐng)更晚。在FinFET體系結(jié)構(gòu)中,柵極是一個(gè)類似魚鰭的分叉三維結(jié)構(gòu),它可以控制電路兩邊的通斷。圖1顯示了平面晶體管和三柵FinFET的總體結(jié)構(gòu)。
　　

my礦用電纜隨著按照摩爾定律縮小半導(dǎo)體器件的特征尺寸和芯片集成度的不斷提高

　　隨著半導(dǎo)體器件按照摩爾定律特征尺寸的縮小和芯片集成的不斷提高,my礦用電纜當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到22nm時(shí),礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)特別是短通道效應(yīng)的顯著增加,許多負(fù)面影響使傳統(tǒng)的平面MOSFET遇到瓶頸。導(dǎo)致器件關(guān)斷電流急劇增加。在此期間,SOIFinFET每年的應(yīng)用穩(wěn)定在50臺(tái)左右,仍處于研究探索階段,很少有大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。
　　

my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)然而

　　然而,二氧化硅導(dǎo)熱系數(shù)低,礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并產(chǎn)生自熱效應(yīng)。
　　

my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高密度下的性能優(yōu)化

　　高密度下的性能優(yōu)化,如堆疊結(jié)構(gòu),改進(jìn)工藝,新的微觀結(jié)構(gòu)等。根據(jù)襯底結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),FinFET器件可分為絕緣體上硅襯底FinFET器件和體硅襯底FinFET器件。集成電路半導(dǎo)體技術(shù)不斷追求高密度、低成本、快速度、低功耗,這也對(duì)SOIFinFET技術(shù)提出了新的要求。

IBM和Intel的FinFET技術(shù)最大的區(qū)別在于Intel一直采用傳統(tǒng)的塊硅開發(fā)方式,而IBM的FinFET架構(gòu)是基于完全用盡的FD-SOI技術(shù),不僅保留了平面技術(shù)的優(yōu)勢(shì),還具有結(jié)構(gòu)隔離、無摻雜、功耗低、運(yùn)行電壓低的特點(diǎn)。雖然蘇州、無錫、杭州、武漢、成都、西安等地在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造方面比較發(fā)達(dá),my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)但在SOIFinFET領(lǐng)域的研發(fā)能力還有待進(jìn)一步發(fā)展。然而,SOIFinFET在中國(guó)的首次專利申請(qǐng)是在2002年,比其他國(guó)家晚了兩年。由于SOI器件襯底中存在埋氧層,很容易在SOI襯底上實(shí)現(xiàn)FinFET,源漏與器件之間的自然電隔離可以有效抑制泄漏,避免閂鎖效應(yīng)。
　　

my礦用電纜近年來

　　近年來,電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)礦用電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)my礦用電纜臺(tái)積電在SOIFinFET的制造和工業(yè)應(yīng)用方面也表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的勢(shì)頭。由于智能電子技術(shù)的快速發(fā)展,my礦用電纜FinFET作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)更高集成度的器件被廣泛應(yīng)用于工業(yè)中。2004年,美國(guó)加州大學(xué)申請(qǐng)了第一項(xiàng)SOIFinFET專利(公開號(hào):USB,該專利在通道兩側(cè)形成了雙柵SOIFinFET結(jié)構(gòu),my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)有效抑制了短通道效應(yīng),增強(qiáng)了設(shè)備的驅(qū)動(dòng)能力。簡(jiǎn)化流程,降低成本。
　　

電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)病例數(shù)量從2010年的40例增加到2012年的110例

　　病例數(shù)從2010年的40例增加到2012年的110例,my電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)兩年內(nèi)幾乎增加了三倍。近年來,病例數(shù)量也呈上升趨勢(shì)。自2000年以來,SOIFinFET技術(shù)經(jīng)歷了多年的發(fā)展,其工藝不斷萎縮,直到現(xiàn)在IBM和英特爾在14nm工藝下的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)白熱化。由此可見,中國(guó)在SOIFinFET領(lǐng)域起步較晚,電纜國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)my礦用電纜但近年來中國(guó)在全球應(yīng)用中所占比例呈現(xiàn)逐漸上升的趨勢(shì)。目前,主要的熱點(diǎn)技術(shù)包括:提高載波移動(dòng)性和獲得更高的信道控制能力。上圖顯示了SOIFinFET在中國(guó)的專利申請(qǐng)數(shù)量與全球?qū)＠暾?qǐng)數(shù)量的比例。由此可見,SOIFinFET的發(fā)展呈上升趨勢(shì)(由于專利尚未公開,近年數(shù)據(jù)滯后。因此,在當(dāng)前和未來的CMOS器件的研究和應(yīng)用中,SOIFinFET器件已成為技術(shù)發(fā)展的熱點(diǎn),但也面臨著諸多挑戰(zhàn)。